大昌證券板橋黃薏涵~【NAND Flash廠 Q4產能大火併】

記者涂志豪／台北報導

近1年來128Gb NAND Flash晶片平均價格變化

三星宣布推疊32層的128Gb 3D V-NAND進入量產，為全球四大陣營3D NAND軍備競賽揭開序幕。圖為三星V-NAND晶片及固態硬碟。圖／三星電子提供

四大NAND Flash廠的2D／3D NAND技術一覽

NAND Flash明年將是殺戮戰場？由於全球最大NAND Flash廠三星電子西安廠正式投產，並宣布開始量產128Gb 3D V-NAND晶片，東芝及新帝（SanDisk）聯軍為了維持市占率，已決定加快日本Fab5第2期量產，而SK海力士、美光、英特爾等也開始拉高產能因應激烈競爭。NAND Flash廠軍備競賽在第4季全面開打，業界對明年市況感到憂心，供過於求問題恐導致跌價幅度大於今年。

今年上半年NAND Flash市場已是供過於求，由供給端來看，三星、SK海力士、東芝、美光等19/20奈米製程良率已達成熟階段，且投片量重新來到新高紀錄。但由需求端來看，上半年高階智慧型手機及平板銷售動能低迷，中低階智慧型手機雖然買氣不弱，但搭載eMMC/eMCP容量在16GB以下。總體來看，上半年就是因為供過於求，導致價格連續2季快速下滑，跌幅已逾3成。

第3季因為進入蘋果iPhone及iPad的拉貨旺季，今年蘋果拉高NAND Flash容量至128GB，的確讓NAND Flash價格止跌回升，但只是曇花一現，由於三星西安廠在第3季進入量產，東芝及新帝合資的Fab5第2期也在9月落成啟用，加上SK海力士去年因無錫廠大火而將M12產能轉為DRAM，也在第3季回復NAND Flash投片。所以隨著產能在9月陸續開出，價格開始鬆動，進入第4季後因為是傳統淡季，10月以來價格跌幅已見擴大。
模組業者表示，三星西安廠第4季月投片量拉高到3.5～4萬片，東芝Fab5第2期正在快速增產，SK海力士M12將月投片量拉高到近5萬片規模，第4季及明年第1季NAND Flash產能快速放大。但需求面來看，固態硬碟（SSD）銷售動能趨緩，只靠蘋果推出的iPhone及iPad，其實並無法去化新增的產能，供過於求壓力將由今年第4季延續到明年上半年。
NAND Flash廠除了擴產，製程微縮速度也正在加快，三星、東芝、SK海力士的16奈米製程已在第4季全面量產，明年還會轉進1znm世代，包括三星14奈米、東芝12奈米、SK海力士13奈米、美光15奈米等，都會在明年上半年進入全產能量產。再者，各廠積極布局的3D NAND，明年也會開始陸續進入量產。
以主流的128Gb NAND MLC晶片價格來看，自去年10月至今的一年中，平均價格已由12美元快速跌至目前的7美元左右，而上游晶片廠軍備競賽加劇，業界對NAND Flash市場看法愈趨保守，明年價格跌勢恐大於今年。

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